Fabrikant Productnummer:
FQB17P06TM
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQB17P06TM-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
12840088
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQB17P06TM Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
120mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FQB1
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SPB18P06PGATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2030
DEELNUMMER
SPB18P06PGATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.44
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
FQPF7N40
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
MVSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
