FQB4N80TM
Fabrikant Productnummer:

FQB4N80TM

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQB4N80TM-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

720 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12837758
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQB4N80TM Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FQB4N80

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800
Andere namen
FQB4N80TMDKR
ONSONSFQB4N80TM
FQB4N80TMTR
FQB4N80TM-DG
FQB4N80TMCT
2156-FQB4N80TM-OS

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

ECH8315-TL-H

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH

onsemi

FDP5N50

MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3

onsemi

FDB15N50

MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK

onsemi

ECH8309-TL-H

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH