Fabrikant Productnummer:
FQI4N20LTU
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQI4N20LTU-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Voorraad:
12849068
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQI4N20LTU Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
FQI4
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRF610LPBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IRF610LPBF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.72
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AON7516
MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
FQP17P10
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
FCMT099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
