Fabrikant Productnummer:
FQI4N80TU
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQI4N80TU-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Voorraad:
12847848
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQI4N80TU Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
FQI4N80
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRFBE30LPBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
990
DEELNUMMER
IRFBE30LPBF-DG
EENHEIDSPRIJS
1.08
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AOW7S60
MOSFET N-CH 600V 7A TO262
FQPF30N06
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
NTD20N03L27G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
