FQI7N80TU
Fabrikant Productnummer:

FQI7N80TU

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQI7N80TU-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Voorraad:

12837935
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQI7N80TU Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
FQI7N80

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
FCB290N80
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1509
DEELNUMMER
FCB290N80-DG
EENHEIDSPRIJS
2.86
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDT3612

MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4

onsemi

FQU1N80TU

MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

onsemi

FQPF2N80

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK