Fabrikant Productnummer:
FQP10N20
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQP10N20-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voorraad:
12846582
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQP10N20 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
87W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
FQP1
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RCX100N25
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
429
DEELNUMMER
RCX100N25-DG
EENHEIDSPRIJS
0.86
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DEELNUMMER
IRF630
Fabrikant
Harris Corporation
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
11535
DEELNUMMER
IRF630-DG
EENHEIDSPRIJS
0.80
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IRF630PBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5461
DEELNUMMER
IRF630PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.51
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDPF13N50FT
MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
CPH3360-TL-W
MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH
AOB15S65L
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
