FQP19N20-T
Fabrikant Productnummer:

FQP19N20-T

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQP19N20-T-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

12987633
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQP19N20-T Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
140W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1
Andere namen
488-FQP19N20-T

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
global-power-technologies-group

GP2T080A120H

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

toshiba-semiconductor-and-storage

TW045N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO

diodes

DMT15H017SK3-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&

micro-commercial-components

MCAC50N06Y-TP

MCAC50N06Y-TP