FQP2N60C
Fabrikant Productnummer:

FQP2N60C

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQP2N60C-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

12850836
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQP2N60C Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
54W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
FQP2

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
FAIFSCFQP2N60C
FQP2N60C-DG
2156-FQP2N60C-OS
FQP2N60CFS

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IRFBC20PBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
7738
DEELNUMMER
IRFBC20PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.47
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
rohm-semi

R6050JNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 50A TO247G

onsemi

FQD6N50CTM_F080

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

onsemi

HUFA76437P3

MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3

infineon-technologies

BSP298L6327HUSA1

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4