Fabrikant Productnummer:
HUF75617D3
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
HUF75617D3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole I-PAK
Voorraad:
12850360
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
HUF75617D3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
UltraFET™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
90mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
64W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I-PAK
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis productnummer
HUF75
Aanvullende informatie
Standaard pakket
75
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRFU3910PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3219
DEELNUMMER
IRFU3910PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.36
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
AOI8N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
FDMS030N06B
MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN