HUF76629D3

Fabrikant Productnummer:

HUF76629D3

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

HUF76629D3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 20A IPAK

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12851449

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

HUF76629D3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

onsemi

Verpakking

-

Reeks

UltraFET™

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

52mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±16V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1285 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

110W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

IPAK

Pakket / Doos

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis productnummer

HUF76

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1,800

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

onsemi

FDS6689S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FDG410NZ

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88

FDU5N60NZTU

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3

rohm-semi

R6504KNJTL

MOSFET N-CH 650V 4A LPTS