IRLI510ATU

Fabrikant Productnummer:

IRLI510ATU

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRLI510ATU-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12919842

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRLI510ATU Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

onsemi

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

5.6A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

5V

Rds aan (max) @ id, vgs

440mOhm @ 2.8A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

8 nC @ 5 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

235 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

3.8W (Ta), 37W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-262 (I2PAK)

Pakket / Doos

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Basis productnummer

IRLI51

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1,000

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

onsemi

NTTFS6H850NTAG

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

nexperia

PSMN2R8-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

vishay-siliconix

SIHP22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

vishay-siliconix

SIE868DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK