MJD112-1G
Fabrikant Productnummer:

MJD112-1G

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

MJD112-1G-DG

Beschrijving:

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK

Voorraad:

153 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12853107
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

MJD112-1G Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Stroom - collector (ic) (max)
2 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
100 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
20µA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Vermogen - Max
1.75 W
Frequentie - Overgang
25MHz
Werkende Temperatuur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverancier Device Pakket
I-PAK
Basis productnummer
MJD112

Datasheet & Documenten

Technische fiches
MJD112,117
Datasheets
MJD112-1G
HTML Gegevensblad
MJD112-1G-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
75
Andere namen
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
onsemi

MJE182G

TRANS NPN 80V 3A TO126

onsemi

KSC5402DTTU

TRANS NPN 450V 2A TO220-3

onsemi

MMBTA55LT1G

TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3

onsemi

MSA1162GT1G

TRANS PNP 50V 0.1A SC59