Fabrikant Productnummer:
MJD112G
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
MJD112G-DG
Beschrijving:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Voorraad:
409 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12851187
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
MJD112G Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Stroom - collector (ic) (max)
2 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
100 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
20µA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Vermogen - Max
1.75 W
Frequentie - Overgang
25MHz
Werkende Temperatuur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Leverancier Device Pakket
DPAK
Basis productnummer
MJD112
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
75
Andere namen
2156-MJD112G-OS
MJD112G-DG
ONSONSMJD112G
MJD112GOS
2832-MJD112G
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
KSA1010YTU
TRANS PNP 100V 7A TO220-3
BD681S
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3
MMBT3906
BJT SOT23 40V PNP 0.25W 150C
