Fabrikant Productnummer:
NTBG040N120M3S
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
NTBG040N120M3S-DG
Beschrijving:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Voorraad:
785 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13256041
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
NTBG040N120M3S Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
54mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
263W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
D2PAK-7
Pakket / Doos
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Andere namen
488-NTBG040N120M3STR
488-NTBG040N120M3SCT
488-NTBG040N120M3SDKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
NVBG040N120M3S
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
800
DEELNUMMER
NVBG040N120M3S-DG
EENHEIDSPRIJS
18.34
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
APT20M16LFLLG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
NTH4L070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
APT8020LLLG
MOSFET N-CH 800V 38A TO264