Fabrikant Productnummer:
NTHL022N120M3S
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
NTHL022N120M3S-DG
Beschrijving:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voorraad:
187 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13376046
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
NTHL022N120M3S Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Verpakking
Tube
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 20mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3130 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
352W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
450
Andere namen
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMN52D0U-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH45M5SFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMP31D7LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R