NTHL1000N170M1
Fabrikant Productnummer:

NTHL1000N170M1

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NTHL1000N170M1-DG

Beschrijving:

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1700 V 4.2A (Tc) 48W Through Hole TO-247-3

Voorraad:

406 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13255985
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

NTHL1000N170M1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1700 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 640µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 1000 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
48W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-3
Pakket / Doos
TO-247-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
NTHL1000N170M1

Aanvullende informatie

Standaard pakket
450
Andere namen
488-NTHL1000N170M1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
onsemi

NTMFWS1D5N08XT1G

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

infineon-technologies

ISK018NE1LM7AULA1

ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET

infineon-technologies

ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET

onsemi

NVBG030N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E