NTMT190N65S3H
Fabrikant Productnummer:

NTMT190N65S3H

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NTMT190N65S3H-DG

Beschrijving:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)

Voorraad:

12963656
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

NTMT190N65S3H Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
SuperFET® III
Toestand van het product
Not For New Designs
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
129W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
4-TDFN (8x8)
Pakket / Doos
4-PowerTSFN

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
488-NTMT190N65S3HDKR
488-NTMT190N65S3HTR
488-NTMT190N65S3HCT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
solid-state-inc

BUZ50A

TO 220 HV N-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SUP40012EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

onsemi

NTBG045N065SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

vishay-siliconix

SQJA82EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8