Fabrikant Productnummer:
NVH4L070N120M3S
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
NVH4L070N120M3S-DG
Beschrijving:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 34A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Voorraad:
13256104
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
NVH4L070N120M3S Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 7mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
160W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4L
Pakket / Doos
TO-247-4
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
488-NVH4L070N120M3S
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
NTH4L070N120M3S
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
422
DEELNUMMER
NTH4L070N120M3S-DG
EENHEIDSPRIJS
5.81
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
APT34N80LC3G
MOSFET N-CH 800V 34A TO264
NVH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
APTM10SKM05TG
MOSFET N-CH 100V 278A SP4