QJD1210010
Fabrikant Productnummer:

QJD1210010

Product Overview

Fabrikant:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

QJD1210010-DG

Beschrijving:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

Voorraad:

12842237
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

QJD1210010 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Powerex
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Discontinued at Digi-Key
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200V (1.2kV)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 800V
Vermogen - Max
1080W
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Chassis Mount
Pakket / Doos
Module
Leverancier Device Pakket
Module
Basis productnummer
QJD1210

Datasheet & Documenten

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

onsemi

MCH6663-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH

onsemi

NTMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

onsemi

NTGD3133PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP