Fabrikant Productnummer:

QJD1210010

Product Overview

Fabrikant:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

QJD1210010-DG

Beschrijving:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Gedetailleerde Beschrijving:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12842237

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

QJD1210010 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays

Fabrikant

Powerex

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Discontinued at Digi-Key

Technologie

Silicon Carbide (SiC)

Configuratie

2 N-Channel (Dual)

FET-functie

-

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

1200V (1.2kV)

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds aan (max) @ id, vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

500nC @ 20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 800V

Vermogen - Max

1080W

Werkende Temperatuur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Chassis Mount

Pakket / Doos

Module

Leverancier Device Pakket

Module

Basis productnummer

QJD1210

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

Technische fiches

QJD1210010 Preliminary Datasheet Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

onsemi

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

onsemi

MCH6663-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH

onsemi

NTMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

onsemi

NTGD3133PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP