Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
QJD1210011
Product Overview
Fabrikant:
Powerex Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
QJD1210011-DG
Beschrijving:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12840375
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
QJD1210011 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Powerex
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Discontinued at Digi-Key
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200V (1.2kV)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 800V
Vermogen - Max
900W
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Chassis Mount
Pakket / Doos
Module
Leverancier Device Pakket
Module
Basis productnummer
QJD1210
Datasheet & Documenten
Datasheets
QJD1210011
HTML Gegevensblad
QJD1210011-DG
Technische fiches
QJD1210011 Preliminary Datasheet
Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
NTLJD2104PTAG
MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
FDS8958
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
HUFA76413DK8T
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC