HT8KE6TB1

Fabrikant Productnummer:

HT8KE6TB1

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

HT8KE6TB1-DG

Beschrijving:

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

Gedetailleerde Beschrijving:

Mosfet Array 100V 4.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Voorraad:

4000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12787956

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

HT8KE6TB1 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configuratie

2 N-Channel

FET-functie

Standard

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

4.5A (Ta), 13A (Tc)

Rds aan (max) @ id, vgs

57mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 50V

Vermogen - Max

2W (Ta), 14W (Tc)

Werkende Temperatuur

150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Pakket / Doos

8-PowerVDFN

Leverancier Device Pakket

8-HSMT (3.2x3)

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

3,000

Andere namen

846-HT8KE6TB1DKR

846-HT8KE6TB1CT

846-HT8KE6TB1TR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

rohm-semi

HP8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP

vishay-siliconix

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR

vishay-siliconix

SIS9446DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 11.3A/34A PPAK

PMDXB590UPEZ

MOSFET 2P-CH 20V 0.57A 6DFN