Fabrikant Productnummer:
R6006JND3TL1
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
R6006JND3TL1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
Voorraad:
12 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12850600
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
R6006JND3TL1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V
Rds aan (max) @ id, vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 800µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
410 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
86W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
R6006
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
846-R6006JND3TL1TR
846-R6006JND3TL1DKR
846-R6006JND3TL1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPD80R1K2P7ATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
14924
DEELNUMMER
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.40
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDP8442
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
