Fabrikant Productnummer:
R6530KNZ4C13
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
R6530KNZ4C13-DG
Beschrijving:
650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247G
Voorraad:
371 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12972899
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
R6530KNZ4C13 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 960µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
305W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247G
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
R6530
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
846-R6530KNZ4C13
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IAUS300N04S4N007ATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
2301
P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8
PJL9421_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
