R8002KNXC7G
Fabrikant Productnummer:

R8002KNXC7G

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R8002KNXC7G-DG

Beschrijving:

800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 1.6A (Ta) 28W (Tc) Through Hole TO-220FM

Voorraad:

948 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12996693
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R8002KNXC7G Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 150µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
28W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220FM
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
R8002

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
846-R8002KNXC7GCT
846-R8002KNXC7GDKR
846-R8002KNXC7GDKR-DG
846-R8002KNXC7G
846-R8002KNXC7GCT-DG
846-R8002KNXC7GTR-DG
846-R8002KNXC7GTR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SISS5110DN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

nxp-semiconductors

PSMN070-200P,127

NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200

rohm-semi

SCT2450KEGC11

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

sanyo

2SJ670-TD-E

2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE