Fabrikant Productnummer:
RQ3L070BGTB1
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RQ3L070BGTB1-DG
Beschrijving:
NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Voorraad:
2945 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13002881
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RQ3L070BGTB1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Ta), 20A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
24.7mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 15W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-HSMT (3.2x3)
Pakket / Doos
8-PowerVDFN
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
846-RQ3L070BGTB1TR
846-RQ3L070BGTB1DKR
846-RQ3L070BGTB1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMTH10H032LFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
SSM6K819R,LF
N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
DMP31D7LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
