Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
DR Congo
Argentinië
Turkije
Roemenië
Litouwen
Noorwegen
Oostenrijk
Angola
Slowakije
Italië
Finland
Wit-Rusland
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Montenegro
Russisch
België
Zweden
Servië
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Moldavië
Duitsland
Nederland
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
Frankrijk
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Portugal
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanje
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
RS1E350BNTB
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RS1E350BNTB-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Voorraad:
810 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13526606
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RS1E350BNTB Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-HSOP
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
RS1E
Datasheet & Documenten
Technische fiches
RS1E350BN
HSMT8 TB Taping Spec
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
RS1E350BNTBTR
RS1E350BNTBCT
RS1E350BNTBDKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RS1E350BNTB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2425
DEELNUMMER
RS1E350BNTB1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.19
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
RQ6E030SPTR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RRQ030P03TR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RSH065N06GZETB
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP