RS1E350BNTB
Fabrikant Productnummer:

RS1E350BNTB

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

RS1E350BNTB-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Voorraad:

810 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13526606
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

RS1E350BNTB Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-HSOP
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
RS1E

Datasheet & Documenten

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
RS1E350BNTBTR
RS1E350BNTBCT
RS1E350BNTBDKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
RS1E350BNTB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2425
DEELNUMMER
RS1E350BNTB1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.19
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
rohm-semi

RD3P200SNFRATL

MOSFET N-CH 100V 20A TO252

rohm-semi

RQ6E030SPTR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

rohm-semi

RRQ030P03TR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

rohm-semi

RSH065N06GZETB

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP