SCT2H12NYTB
Fabrikant Productnummer:

SCT2H12NYTB

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SCT2H12NYTB-DG

Beschrijving:

SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
13526914
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SCT2H12NYTB Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1700 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
184 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
44W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-268
Pakket / Doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis productnummer
SCT2H12

Datasheet & Documenten

Betrouwbaarheid Documenten
MOS-2GSMD Reliability Test
Technische fiches
SCT2H12NYTB TO-268-2L Taping Spec

Aanvullende informatie

Standaard pakket
400
Andere namen
SCT2H12NYTBTR
SCT2H12NYTBCT
SCT2H12NYTBDKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
rohm-semi

RJ1U330AAFRGTL

MOSFET N-CH 250V 33A LPTS

rohm-semi

RQ5E015RPTL

MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3

rohm-semi

RSH070N05TB1

MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP

rohm-semi

RQ3E100GNTB

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT