Fabrikant Productnummer:
SCT3120ALGC11
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SCT3120ALGC11-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Voorraad:
6940 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13526426
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SCT3120ALGC11 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
103W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247N
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SCT3120
Datasheet & Documenten
Betrouwbaarheid Documenten
Bronnen voor ontwerp
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
Q12567120
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RTM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
