Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
DR Congo
Argentinië
Turkije
Roemenië
Litouwen
Noorwegen
Oostenrijk
Angola
Slowakije
Italië
Finland
Wit-Rusland
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Montenegro
Russisch
België
Zweden
Servië
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Moldavië
Duitsland
Nederland
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
Frankrijk
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Portugal
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanje
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
US6M2GTR
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
US6M2GTR-DG
Beschrijving:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
13526172
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
US6M2GTR Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
N and P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30V, 20V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.5A, 1A
Rds aan (max) @ id, vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Vermogen - Max
1W
Werkende Temperatuur
150°C
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-SMD, Flat Leads
Leverancier Device Pakket
TUMT6
Basis productnummer
US6M2
Datasheet & Documenten
Technische fiches
US6M2
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
US6M2GDKR
US6M2GCT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
QH8JA1TCR
MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8