Fabrikant Productnummer:
2SC3595D
Product Overview
Fabrikant:
Sanyo
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SC3595D-DG
Beschrijving:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 500 mA 2GHz 1.2 W Through Hole TO-126
Voorraad:
7513 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12941635
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SC3595D Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
500 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
20 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
600mV @ 30mA, 300mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 50mA, 5V
Vermogen - Max
1.2 W
Frequentie - Overgang
2GHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Graad
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-225AA, TO-126-3
Leverancier Device Pakket
TO-126
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
452
Andere namen
2156-2SC3595D
ONSSNY2SC3595D
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
Not applicable
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SC4455Q-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC2463DETL-E
0.1A, 40V
2SC536F-SPA-AC
SMALL SIGNAL NPN SILICON
