Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
SCT20N120
Product Overview
Fabrikant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SCT20N120-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
Voorraad:
580 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12878528
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SCT20N120 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
STMicroelectronics
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
175W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
HiP247™
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SCT20
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SCT20N120
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
497-15170
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
STB5NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
STI17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK
STB50NE10T4
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
STD40NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK