Fabrikant Productnummer:
RN2107MFV,L3F(CT
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN2107MFV,L3F(CT-DG
Beschrijving:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Voorraad:
15980 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13275857
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
dN3v
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN2107MFV,L3F(CT Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele, Vooraf Voorzien Bipolaire Transistors
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Stroom - collector (ic) (max)
100 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Weerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47 kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Vermogen - Max
150 mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-723
Leverancier Device Pakket
VESM
Basis productnummer
RN2107
Aanvullende informatie
Standaard pakket
8,000
Andere namen
264-RN2107MFVL3F(DKR
264-RN2107MFVL3F(CT
RN2107MFV,L3F(CB
264-RN2107MFVL3F(TR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN2119MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2424(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
RN1113,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
