Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
DR Congo
Argentinië
Turkije
Roemenië
Litouwen
Noorwegen
Oostenrijk
Angola
Slowakije
Italië
Finland
Wit-Rusland
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Montenegro
Russisch
België
Zweden
Servië
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Moldavië
Duitsland
Nederland
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
Frankrijk
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Portugal
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanje
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
RN2601(TE85L,F)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN2601(TE85L,F)-DG
Beschrijving:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Voorraad:
253 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12891766
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
O
J
1
C
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN2601(TE85L,F) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
4.7kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequentie - Overgang
200MHz
Vermogen - Max
300mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SC-74, SOT-457
Leverancier Device Pakket
SM6
Basis productnummer
RN2601
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
RN2601(TE85LF)DKR
RN2601(TE85LF)TR
RN2601(TE85LF)CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DDC143EH-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
RN1605TE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
DCX144EU-7-F
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
RN2902FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6