Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
DR Congo
Argentinië
Turkije
Roemenië
Litouwen
Noorwegen
Oostenrijk
Angola
Slowakije
Italië
Finland
Wit-Rusland
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Montenegro
Russisch
België
Zweden
Servië
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Moldavië
Duitsland
Nederland
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
Frankrijk
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Portugal
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanje
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
RN2608(TE85L,F)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN2608(TE85L,F)-DG
Beschrijving:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12889697
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
e
5
Y
s
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN2608(TE85L,F) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
22kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequentie - Overgang
200MHz
Vermogen - Max
300mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SC-74, SOT-457
Leverancier Device Pakket
SM6
Basis productnummer
RN2608
Datasheet & Documenten
Technische fiches
RN2607-09
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
RN2608(TE85LF)TR
RN2608(TE85LF)DKR
RN2608(TE85LF)CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN1903,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2906FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2901(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1965FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6