TPH3208PD
Fabrikant Productnummer:

TPH3208PD

Product Overview

Fabrikant:

Transphorm

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

TPH3208PD-DG

Beschrijving:

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
13445848
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

TPH3208PD Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Transphorm
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Max.)
±18V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
96W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
TPH3208PS

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
STP33N60DM2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3750
DEELNUMMER
STP33N60DM2-DG
EENHEIDSPRIJS
2.32
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
transphorm

TPH3206LD

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

transphorm

TPH3206PSB

GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

transphorm

TPH3206LS

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

transphorm

TPH3202LD

GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN