Fabrikant Productnummer:
2N6661-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2N6661-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Voorraad:
12905458
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2N6661-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
90 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-39
Pakket / Doos
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Basis productnummer
2N6661
Aanvullende informatie
Standaard pakket
100
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
2N6661
Fabrikant
Solid State Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
6694
DEELNUMMER
2N6661-DG
EENHEIDSPRIJS
4.60
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFZ14L
MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
IRFD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
ZXMN2A02N8TA
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
