Fabrikant Productnummer:
SI2324DS-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2324DS-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
47703 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12912550
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2324DS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.9V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2324
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2324DS-T1-GE3DKR
SI2324DS-T1-GE3CT
SI2324DS-T1-GE3TR
SI2324DS-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFI734GPBF
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3
IRFZ34STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
IRFZ10
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
