SI5482DU-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI5482DU-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI5482DU-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single

Voorraad:

12914359
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI5482DU-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
15mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pakket / Doos
PowerPAK® ChipFET™ Single
Basis productnummer
SI5482

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
SI5418DU-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1882
DEELNUMMER
SI5418DU-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.45
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI8806DB-T2-E1

MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SI4108DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

vishay-siliconix

IRFR9210TRR

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

vishay-siliconix

SI4636DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO