Fabrikant Productnummer:
SI8469DB-T2-E1
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI8469DB-T2-E1-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Voorraad:
13062100
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI8469DB-T2-E1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
8 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 4 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
4-Microfoot
Pakket / Doos
4-UFBGA
Basis productnummer
SI8469
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI8469DB-T2-E1-ND
SI8469DB-T2-E1CT
SI8469DB-T2-E1TR
SI8469DB-T2-E1DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHP5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
SQM120N02-1M3L_GE3
MOSFET N-CH 20V 120A TO263
SIHD7N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
