SIB415DK-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIB415DK-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIB415DK-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

Voorraad:

13059382
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIB415DK-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
87mOhm @ 4.17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10.05 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-75-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-75-6
Basis productnummer
SIB415

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIB415DKT1GE3
SIB415DK-T1-GE3DKR
SIB415DK-T1-GE3CT
SIB415DK-T1-GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay

SI7772DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

vishay

SI3483DDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP

vishay

SIDR390DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK

vishay

SI2392ADS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3