Fabrikant Productnummer:
SIHB17N80E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHB17N80E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
993 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13063289
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHB17N80E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Verpakking
Tube
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2408 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
208W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB17
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SIHB17N80E-GE3-ND
742-SIHB17N80E-GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
BSS138W L6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
