SUP70090E-GE3
Fabrikant Productnummer:

SUP70090E-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SUP70090E-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

370 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13060855
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SUP70090E-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Bulk
Reeks
ThunderFET®
Verpakking
Bulk
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SUP70090

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
500

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay

SQ2351ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

vishay

SQ3418EEV-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

vishay

SI2305ADS-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

vishay

SI4124DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO