WAS530M12BM3
Fabrikant Productnummer:

WAS530M12BM3

Product Overview

Fabrikant:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

WAS530M12BM3-DG

Beschrijving:

SIC 2N-CH 1200V 630A
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 630A (Tc) Chassis Mount

Voorraad:

12988031
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

WAS530M12BM3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Wolfspeed
Verpakking
Box
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuratie
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200V (1.2kV)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
630A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
3.47mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 127mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1362nC @ 15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
38900pF @ 800V
Vermogen - Max
-
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Chassis Mount
Pakket / Doos
Module
Leverancier Device Pakket
-
Basis productnummer
WAS530

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1
Andere namen
-3312-WAS530M12BM3
1697-WAS530M12BM3

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
taiwan-semiconductor

TSM300NB06LDCR RLG

MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU

microchip-technology

MSCSM70HM05AG

SIC 4N-CH 700V 349A

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N813R,LF

MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF

goford-semiconductor

G05NP06S2

MOSFET N/P-CH 60V 5A/3.1A 8SOP