Fabrikant Productnummer:
FBG04N08ASH
Product Overview
Fabrikant:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FBG04N08ASH-DG
Beschrijving:
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Voorraad:
13002562
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FBG04N08ASH Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
EPC Space
Verpakking
Bulk
Reeks
e-GaN®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V
Rds aan (max) @ id, vgs
24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
312 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
-
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
4-SMD
Pakket / Doos
4-SMD, No Lead
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1
Andere namen
4107-FBG04N08ASH
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETE
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
