Fabrikant Productnummer:
2SC3596E
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SC3596E-DG
Beschrijving:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 300 mA 700MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Voorraad:
17014 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12931590
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SC3596E Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
300 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
60 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
600mV @ 10mA, 100mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 50mA, 10V
Vermogen - Max
1.2 W
Frequentie - Overgang
700MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Graad
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-225AA, TO-126-3
Leverancier Device Pakket
TO-126
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
437
Andere namen
ONSONS2SC3596E
2156-2SC3596E
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
Not applicable
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SC3458L
NPN SILICON TRANSISTOR
2SC3956E
NPN SILICON TRANSISTOR
2SA1338-5-TB-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
