Fabrikant Productnummer:
FCD600N65S3R0
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FCD600N65S3R0-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Voorraad:
2470 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12921826
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FCD600N65S3R0 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SuperFET® III
Toestand van het product
Not For New Designs
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
465 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
54W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252 (DPAK)
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
FCD600
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
488-FCD600N65S3R0CT
488-FCD600N65S3R0DKR
488-FCD600N65S3R0TR
FCD600N65S3R0-DG
2156-FCD600N65S3R0TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FCD7N60TM
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5978
DEELNUMMER
FCD7N60TM-DG
EENHEIDSPRIJS
0.91
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
STD10NM60N
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
6369
DEELNUMMER
STD10NM60N-DG
EENHEIDSPRIJS
1.17
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
FCD600N65S3R0
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2470
DEELNUMMER
FCD600N65S3R0-DG
EENHEIDSPRIJS
0.66
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
TK7P60W,RVQ
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1994
DEELNUMMER
TK7P60W,RVQ-DG
EENHEIDSPRIJS
0.79
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDP8896
MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
3LP01S-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
PSMN4R1-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
