Fabrikant Productnummer:
NTBG1000N170M1
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
NTBG1000N170M1-DG
Beschrijving:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1700 V 4.3A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Voorraad:
736 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13255983
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
NTBG1000N170M1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1700 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 640µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 1000 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
51W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
D2PAK-7
Pakket / Doos
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Andere namen
488-NTBG1000N170M1TR
488-NTBG1000N170M1DKR
488-NTBG1000N170M1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NTHL1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTMFWS1D5N08XT1G
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
ISK018NE1LM7AULA1
ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
