NTHL030N120M3S
Fabrikant Productnummer:

NTHL030N120M3S

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NTHL030N120M3S-DG

Beschrijving:

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3

Voorraad:

450 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13256028
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

NTHL030N120M3S Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
39mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 15mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2430 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
313W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-3
Pakket / Doos
TO-247-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
NTHL030N120M3S

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
488-NTHL030N120M3S

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
onsemi

NTH4L030N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

onsemi

NTBG040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

microchip-technology

APT20M16LFLLG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264

onsemi

NTH4L070N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL