HP8ME5TB1
Fabrikant Productnummer:

HP8ME5TB1

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

HP8ME5TB1-DG

Beschrijving:

MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Voorraad:

1193 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787955
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

HP8ME5TB1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
N and P-Channel
FET-functie
Standard
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Vermogen - Max
3W (Ta), 20W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Leverancier Device Pakket
8-HSOP

Datasheet & Documenten

Technische fiches
HP8ME5
Datasheets
HP8ME5TB1
HTML Gegevensblad
HP8ME5TB1-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
846-HP8ME5TB1DKR
846-HP8ME5TB1CT
846-HP8ME5TB1TR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
rohm-semi

HT8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

rohm-semi

HP8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP

vishay-siliconix

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR

vishay-siliconix

SIS9446DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 11.3A/34A PPAK