RH6G040BGTB1
Fabrikant Productnummer:

RH6G040BGTB1

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

RH6G040BGTB1-DG

Beschrijving:

NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Voorraad:

5281 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12987617
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

RH6G040BGTB1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1580 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
59W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-HSMT (3.2x3)
Pakket / Doos
8-PowerVDFN

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
846-RH6G040BGTB1DKR
846-RH6G040BGTB1TR
846-RH6G040BGTB1CT

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

G02P06

MOSFET P-CH 60V 1.6A,SOT-23

diodes

DMN2310UTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

onsemi

FQP19N20-T

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3